半導体生成のためのCVD装置では回転するディスク上にプロセスガスを噴射させることで、ディスク表面に均一な生成膜をコーティングしています。

こちらのページでは「Ansys Fluent」の化学種輸送モデルを使用しCVD装置での膜生成の様子を解析したものになります。プロセスガスの流れの他に表面反応や熱拡散などの効果も考慮し解析を実施しています。

• 解析モデル左：モデル全体表示　　右：手前表面非表示状態
• 解析結果

  ガリウムの表面体積速度	ディスク表面の温度分布